在業內看來，LED技術倒裝工藝也好，COB工藝也好，在使用的企業之前並不衝突。技術隻有在相互代簽才能升級進步。對用戶而言，看到的是一塊led顯示屏，而單獨從外觀上，無法分辨出是金線，還是銅線，也難分出使用的是什麽生產工藝。但短時間能否分辨不影響技術的進步，及各普通技術人員對科技問題的探索。
MEI709使用金錫plat form焊錫貼PD chip 到submount上，鍍金層上焊錫流動不良
 
從現在的試驗來看，似乎和芯片背麵、submont表麵的粗糙度有關
哪位對共晶焊接熟悉的高人指點一下
 
1）如何定量地確認合適表麵粗糙度達到最好的焊接質量
2）submont鍍金層下會有鎳層，它會有影響嗎？
是在做通孔垂直結構LED的焊接嗎...？看你的結構和敘述主要針對SnAu共晶...這樣共晶焊料的熔點就有了...當然你的爐溫一定比共晶焊料的熔點高...因為Au下麵還有Ni...
 
利用共晶焊接技術，先將晶粒焊接於一散熱基板（soubmount）或熱沉（heat sink）上，然後把整件晶粒連散熱基板再焊接於封裝器件上，這樣就可增強器件散熱能力，令發光功率相對地增加。至於基板材料方麵，矽（Silicon）、銅（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散熱基板物料。
 
共晶焊接技術最關鍵是共晶材料的選擇及焊接溫度的控製。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用純錫（Sn）或金錫（Au-Sn）合金作接觸麵鍍層，晶粒可焊接於鍍有金或銀的基板上。當基板被加熱至適合的共晶溫度時，金或銀元素滲透到金錫合金層，合金層成份的改變提高溶點，令共晶層固化並將LED緊固的焊於熱沉或基板上。
 
選擇共晶溫度視乎晶粒、基板及器件材料耐熱程度及往後SMT回焊製程時的溫度要求。考慮共晶固晶機台時，除高位置精度外，另一重要條件就是有靈活而且穩定的溫度控製，加有氮氣或混合氣體裝置，有助於在共晶過程中作防氧化保護。當然和銀漿固晶一樣，要達至高精度的固晶，有賴於嚴謹的機械設計及高精度的馬達運動，才能令焊頭運動和焊力控製恰到好處之餘，亦無損高產能及高良品率的要求。
 
進行共晶焊接工藝時亦可加入助焊劑，這技術最大的特點是無須額外附加焊力，故此不會因固晶焊力過大而令過多的共晶合金溢出，減低LED產生短路的機會。